サムスン電子とASMLが戦略的提携を強化、次世代半導体製造へ

サムスン電子は9月8日、半導体露光装置大手ASMLとの戦略的パートナーシップを拡大しました。人工知能（AI）時代の到来を見据え、次世代の「ハイNA EUV（High NA EUV）」技術を用いた最先端半導体の製造協力体制を深めます。

3行でわかる

• サムスン電子とASMLが次世代半導体製造に向けた戦略的提携を拡大。
• AI時代に対応するため、最先端の「ハイNA EUV」露光技術の導入を加速。
• 既存のEUV装置に比べ、解像度を約66.6%向上させる技術的なブレイクスルーを目指す。

Q&A

Q1. ハイNA EUVとは何ですか？

A. 半導体の微細化において物理的な限界を突破するために設計された次世代の露光装置です。既存のEUV装置よりも高い解像度を実現し、より高性能なチップの生産を可能にします。

Q2. 提携によって解像度はどの程度向上しますか？

A. 装置のレンズ開口数（NA）を従来の0.33から0.55へと引き上げることで、解像度は約66.6%向上します（0.55÷0.33=1.666）。これにより、回路パターンのより精密な実装が可能になります。

Q3. なぜ今、協力関係を強化するのですか？

A. AI半導体への需要が爆発的に増加する中、技術開発と設備導入のスピードを早めることが不可欠だからです。リソースが限られる中で、両社は資源と技術を共有し、市場の主導権を握ることを目指しています。

Q4. 具体的な投資額や装置の導入数は決まっていますか？

A. 2026年9月8日時点では、投資金額や具体的な装置の導入台数、詳細なロードマップは公開されていません。

Q5. 両社はどのような姿勢を示していますか？

A. 両社は「長年の成功した協力関係を基盤に、次世代半導体製造技術の開発と展開を加速させる」との共同声明を発表し、協力体制の強化を表明しています。

数字で見る

• 発表日：2026年9月8日
• レンズ開口数（NA）の変更：0.33から0.55へ
• 解像度の向上率：約66.6%

まとめ

サムスン電子とASMLは、次世代半導体製造技術の開発と実際の製造工程への導入を加速させる共同作業に着手します。今後の焦点は、両社がいつ、どのような技術開発の成果を発表するかに移ります。

出典

1. Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturing — 삼성전자 글로벌 뉴스룸(영문)
2. Collaboration — Wikipedia (en)